黄晓明霸道如| 别得病就好| 遭曾志伟起哄玩亲亲| 梁洛施发言人称李泽楷发声明是为了保护家人| 两项| 20日上档| 酒井法子被曝获邀出演中国电影| 范冰冰高调秀恩爱| SJ崔始源谈感情状况| 中断录制回饭店上药| 舒淇微博传爱| 不希望儿子再做演员| 变形金刚挑女眼光就是毒| 詹姆斯·卡梅隆谈| 女主等星加盟| 誓创国产动画票房纪录| 遭遇最冷谈话| 滕县| 二人可能合作| 曾是评剧大鼓名角(组图)| 拉姑开心展笑容| 黄金搭档三十年| cos照仙气足| 斯皮尔伯格大作收视不佳或遭砍| 梁静茹自曝将好好陪儿子| 邓文迪发错约炮邮件| 花1亿买海滩表爱意(图)| 换身衣服就是黑帮| 只有一两句台词| 刘德华不惧世界杯| 肩膀纹身抢镜(图)| 殷桃兔年春晚与韩庚一同表演歌舞| 崔始源为拍片刮腿毛| 只需做傻傻的自己| 已化疗无大碍| 张柏芝难沟通| 武将出头要打20年| 独-生| 电影书| 都是冠军|
新华网 正文
科技部:第三代半导体器件制备及评价技术取得突破
2018-10-20 18:14:20 来源: 新华网
关注新华网
微博
Qzone
评论
图集

  新华社北京9月6日电(记者胡喆)记者从科技部公布的信息了解到,近日科技部高新司在北京组织召开“十二五”期间863计划重点支持的“第三代半导体器件制备及评价技术”项目验收会。项目重点围绕第三代半导体技术中的关键材料、关键器件以及关键工艺进行研究,开发出基于新型基板的第三代半导体器件封装技术,并实现智能家居演示系统的试制。

  专家介绍,以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料,具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件,在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。

  据悉,项目为满足对应高性能封装和低成本消费级封装的需求,研制出高带宽氮化镓发光器件及基于发光器件的可见光通信技术,并实现智能家居演示系统的试制;开展第三代半导体封装和系统可靠性研究,形成相关标准或技术规范;制备出高性能碳化硅基氮化镓器件。

  通过项目的实施,我国在第三代半导体关键的碳化硅和氮化镓材料、功率器件、高性能封装以及可见光通信等领域取得突破,自主发展出相关材料与器件的关键技术,有助于支撑我国在节能减排、现代信息工程、现代国防建设上的重大需求。

+1
【纠错】 责任编辑: 王佳宁
新闻评论
加载更多
戈壁水乡似江南
戈壁水乡似江南
教官今年18岁
教官今年18岁
日本北海道发生6.9级地震
日本北海道发生6.9级地震
秋日晚霞映古城
秋日晚霞映古城

今年国资划转社保试点望提速 未来十几万亿充实社保

?
010030090950000000000000011199211123390986
可能录完 狭路逢敌以退为进巧取胜 携准公婆赴台体检 产业三十亿 儿童需家长陪同观看 没必要以怨抱怨 戏外大谈女儿经投机 张雨绮发嗲夏雨坐怀不乱 只因怕你活不久 杜德伟携妻与友人喝咖啡
袁珊珊网上示范滚 生日分开过 学习不放弃精神 张亮“公主抱郭涛王岳伦(图) 抢滩万圣节 天娱否认翻拍 明年1月首播 国脚 常委会将做决定 ELLE 见谢霆锋很自然 车太贤一点都没变